[发明专利]一种PECVD设备的氮气辅助加热方法及装置有效
申请号: | 201911173929.3 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110699672B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 李晔纯;张弥涛;张春成;李明;罗志敏 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/455;C23C16/513 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 廖元宝 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种PECVD设备的氮气辅助加热方法,包括:S01、在往工艺腔体内通入氮气前,检测工艺腔体内的温度;S02、根据工艺腔体内的温度值确定是否对氮气进行加热;在温度未达到设定值时,对氮气进行加热后再通入至工艺腔体内,以提高工艺腔体内的温度。本发明还公开了一种氮气辅助加热装置,包括氮气加热器和主管道,主管道上设置有主开关和直通开关,氮气加热器的进气口与直通开关的输入端相连,氮气加热器的出气口与直通开关的输出端相连;氮气加热器的出气口设置有氮气温度检测件,氮气加热器根据工艺腔体内温度与氮气温度检测件检测的氮气温度之间的偏差调整加热功率。本发明的方法及装置均具有加热效率高等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 设备 氮气 辅助 加热 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种PECVD设备的氮气辅助加热方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS01、在PECVD设备淀积工艺前的回温时,在往PECVD设备的工艺腔体(3)内通入氮气前,检测所述工艺腔体(3)内的温度;/nS02、根据步骤S01检测到的工艺腔体(3)内的温度值确定是否对氮气进行加热;在工艺腔体(3)内的温度未达到设定值时,对氮气进行加热后,再通入至工艺腔体(3)内,以提高工艺腔体(3)内的温度。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的