[发明专利]鳍式晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911174067.6 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110854202A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 郑智仁;翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式晶体管，包括：鳍体，鳍体之间的浅沟槽中填充有场氧；鳍式晶体管的单元结构形成在鳍体顶部结构上，单元结构包括：栅极结构、源区和漏区；在栅极结构两侧的鳍体顶部结构中形成有凹槽并填充有嵌入式外延层，源区和漏区形成在对应的嵌入式外延层中；金属硅化物形成在嵌入式外延层的整个外侧表面上，以增加所述金属硅化物对应的所述源区或所述漏区的接触面积，源区和漏区表面的金属硅化物分别和顶部对应的接触孔相接触。本发明还公开了一种鳍式晶体管的制造方法。本发明能降低器件的源漏接触孔的接触电阻并从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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