[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911174508.2 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112864016A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，提供衬底，衬底上具有鳍部，鳍部沿第一方向延伸，鳍部上包括多个第一区和至少一个第二区，第二区位于相邻的两个第一区之间；在衬底上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖鳍部部分侧壁，第一隔离层表面低于鳍部顶部表面；在各第一区上分别形成横跨鳍部的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂区，第一栅极结构覆盖鳍部部分侧壁与顶部表面；在第二区内形成第二隔离层，第二隔离层沿第二方向贯穿鳍部；在第二隔离层上形成第二栅极结构。通过在第二隔离层上形成第二栅极结构，利用第二栅极结构中的金属材料具有较好的导热性能，能够将半导体结构产生的热能及时有效的导出，有效提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
