[发明专利]等离子体处理装置及其半导体晶圆的处理方法在审
| 申请号： | 201911174957.7 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951694A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 涂乐义 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;刘琰 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体处理装置及其半导体晶圆的处理方法。等离子体处理装置，包括反应腔，反应腔内包括上电极组件、下电极组件、冷却通道及加热装置。上电极组件设置在反应腔内的上方，同时用于向反应腔内输送反应气体。下电极组件设置在反应腔内的下方，与上电极组件相对设置，用于承载待处理晶圆。冷却通道设置在上电极组件内部，用于对上电极组件进行冷却。加热装置设置在上电极组件内部，包括：若干个分立式加热器用于对上电极组件的不同区域进行加热；以及控制器，连结若干个分立式加热器且分别控制各个分立式加热器的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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