[发明专利]一种宽光谱图像传感器结构及形成方法

摘要

本发明公开了一种宽光谱图像传感器结构及形成方法，图像传感器结构包括：设于半导体衬底正面上的感光单元；设于所述半导体衬底正面，自下而上依次位于所述感光单元中的宽禁带半导体材料层、第一半导体层、窄禁带半导体材料层和第二半导体层；其中，入射光由半导体衬底背面进入感光单元，利用宽禁带半导体材料层对入射光中的短波段光进行吸收，利用窄禁带半导体材料层对入射光中的长波段光进行吸收，以同时提高短波段和长波段的量子效率。本发明通过采用复合结构的感光单元，既能提高短波段的量子效率，也能增强近红外波段的量子效率。