[发明专利]一种半导体结构和制作方法有效
| 申请号： | 201911175015.0 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111146181B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;奚鹏程;葛星晨 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及制作方法，半导体结构包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的第一介质层；形成于第一介质层中的第一接触孔；形成于第一介质层上的第二介质层；形成于第二介质层中的多层金属；其中，由多层金属中的一部分对应形成多层金属‑氧化层‑金属电容结构，每层的金属‑氧化层‑金属电容中，由相邻的两个同层金属分别构成电容上极板和电容下极板，电容上极板和电容下极板之间填充的第二介质层材料中穿设有沟槽，沟槽中填充有高介电常数材料，沟槽的下端通过第一接触孔与半导体衬底相隔离。本发明能在不改变MOM电容面积的情况下，大幅提升MOM电容同层金属之间的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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