[发明专利]一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法在审
| 申请号： | 201911177527.0 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854064A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 单光宝;李国良;卢启军;朱樟明;杨银堂;杨力宏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，包括如下步骤：步骤1、在硅晶片上进行刻孔；步骤2、在刻孔的内壁上沉积绝缘层；步骤3、在刻孔的内壁的绝缘层上沉积阻挡层；步骤4、在刻孔的内壁的阻挡层上沉积种子层；步骤5、在硅晶片上表面沉积介质层；步骤6、在介质层上刻蚀RDL线槽；步骤7、分别在RDL线槽和刻孔内电镀填充金属；步骤8、减薄硅晶片。该TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，将通孔填充与RDL布线同时进行，使通孔填充与RDL布线接触更加的良好，节省了制备时间以及制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 硅通孔 单层 rdl 布线 一次性 整体 成型 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
