[发明专利]一种改善晶体硅太阳能电池抗PID性能的方法

摘要

本发明提供了一种改善晶体硅太阳能电池抗PID性能的方法，所述方法包括以下步骤：1)将镀有氧化铝膜层的PERC电池半成品硅片送入镀膜机，进行抽真空和加热，使镀膜机腔体内达到一定的真空度和温度；2)通入惰性气体，同时打开真空泵阀门保证所述腔体内维持一定压力，对射频电源通电使惰性气体激发成等离子体，利用等离子气体对所述的氧化铝膜层进行预处理；3)将预处理的硅片利用硅烷与氨气的混合气体激发成等离子，在氧化铝膜层上沉积背面氮化硅薄膜。本发明在PERC电池生产过程中通过对射频电源通电使惰性气体激发成等离子体，并利用等离子气体对所述的氧化铝膜层进行预处理，从而从根本上改善其电池抗PID性能。