[发明专利]硅片对准标记布局的优化方法有效

专利信息
申请号: 201911178873.0 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110880469B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 李璟;丁敏侠;张清洋;朱世懂;折昌美;武志鹏;胡丹怡 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/67
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种硅片对准标记布局的优化方法,该方法包括初始化对准标记个数,选取对准标记所在的场格;根据硅片变形数据,优化对准标记所处场格;优化对准标记在场格中的位置;计算最小的对准标记个数,即完成所述硅片对准标记布局优化。本发明通过优化方法给出最优的对准标记位置,从而提高套刻对准性能;通过优化方法给出最少对准标记测量个数,从而减少对准系统测量时间,为提升产率提供可能。
搜索关键词: 硅片 对准 标记 布局 优化 方法
【主权项】:
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