[发明专利]硅片对准标记布局的优化方法有效
申请号: | 201911178873.0 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110880469B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 李璟;丁敏侠;张清洋;朱世懂;折昌美;武志鹏;胡丹怡 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种硅片对准标记布局的优化方法,该方法包括初始化对准标记个数,选取对准标记所在的场格;根据硅片变形数据,优化对准标记所处场格;优化对准标记在场格中的位置;计算最小的对准标记个数,即完成所述硅片对准标记布局优化。本发明通过优化方法给出最优的对准标记位置,从而提高套刻对准性能;通过优化方法给出最少对准标记测量个数,从而减少对准系统测量时间,为提升产率提供可能。 | ||
搜索关键词: | 硅片 对准 标记 布局 优化 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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