[发明专利]光掩模坯料、光掩模坯料的制造方法、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法在审
申请号: | 201911179769.3 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN111258175A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 田边胜;浅川敬司;安森顺一;石原重德;花冈修 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/80 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜,其中,光掩模坯料是用于形成光掩模的原版,所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案,图案形成用薄膜含有过渡金属和硅,图案形成用薄膜具有柱状结构。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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