[发明专利]用于利用结构光测量半导体器件元件的物理特性的系统和方法有效
| 申请号： | 201911179790.3 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110911294B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | D·索德;Z·王;T·J·小科洛西莫;D·A·劳特;S-G·唐 | 申请（专利权）人： | 库利克和索夫工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/48;H01L23/488;G01B11/26;G01B11/30;G01N21/84;G01N21/88;G06T7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法。所述方法包括如下步骤：(1)将结构光图案应用于半导体器件元件上的粘合剂材料；(2)利于相机创建所述结构光图案的图像；以及(3)分析所述结构光图案的图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性。还提供了用于利用结构光来确定半导体器件和元件的物理特性的其它方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 结构 测量 半导体器件 元件 物理 特性 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
