[发明专利]泡沫镍原位生长三元正极材料的制备方法及产品和应用有效
| 申请号： | 201911180908.4 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110931769B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 崔大祥;吴晓燕;林琳;王岩岩;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/485 | 分类号： | H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种泡沫镍原位生长三元正极材料的制备方法，本发明通过水热法利用泡沫镍原位生长NCM纳米线。线状的NCM材料具有较大的比表面积，能够与电解液充分接触，进而可以提高材料的电化学性能。并且制备方法简单，工艺条件容易实现，能量消耗低，且制备无污染。首次放电比容量为175 mAh/g，经过50次循环放电比容量为159 mAh/g，容量保持率为90.8%。并且制备方法简单，工艺条件容易实现，能量消耗低，且制备无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 泡沫 原位 生长 三元 正极 材料 制备 方法 产品 应用 | ||
【主权项】：
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