[发明专利]一种平行双触点接触式开关的制造方法有效
| 申请号： | 201911181207.2 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110931288B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张国俊;欧书俊;王姝娅;戴丽萍;钟志亲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01H11/00 | 分类号： | H01H11/00;H01H11/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 邓黎 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平行双触点接触式开关的制造方法，属于微机械体硅加工技术领域。本发明在沉积极板绝缘层后先刻蚀锚点，其余位置绝缘层保留下来，利用绝缘层将信号电极和驱动电极覆盖起来从而保护信号电极和驱动电极，去除种子层后再进行极板绝缘层的图形化。本发明提出的制造方法可以有效的解决传统的接触式开关制作过程中采用王水腐蚀种子层时，由于各向同性导致对传输线有侧向腐蚀的问题，在没有增加工艺步骤的条件下有效避免腐蚀工艺带来的侧壁侵蚀，简化工艺并提高了开关的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平行 触点 接触 开关 制造 方法 | ||
【主权项】：
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