[发明专利]基于氧化物/金纳米棒/硅的可见-短波红外光探测基底的制备方法有效
申请号: | 201911181909.0 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110993731B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 崔大祥;白仕亨;卢静;金彩虹 | 申请(专利权)人: | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/109 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅 |
地址: | 201109 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于氧化层/金纳米棒/硅的可见‑短波红外光探测基底的制备方法,通过一种银诱导无种法合成具有不同长径比的小尺寸金纳米棒;将其负载到硅片表面作为光吸收层,经退火处理获得结合更紧密金纳米棒/硅片基底;在金纳米棒/硅复合基底表面沉积不同的氧化物薄膜,构建成具有良好光电响应的异质结结构,最终得到氧化物/金纳米棒/硅基底新型可见‑短波红外光探测基底。该复合基底能够对可见‑短波红外光表现出极高的探测灵敏度。与现有技术相比,本发明获得的探测基底具有光谱响应范围宽、响应灵敏度高、响应波段可调、抗干扰能力强等优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化物 纳米 可见 短波 红外光 探测 基底 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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