[发明专利]一种铱-192后装源的制备方法以及铱-192后装源在审
| 申请号： | 201911183808.7 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111063470A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 崔洪起;李梅 | 申请（专利权）人： | 北京双原同位素技术有限公司;原子高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G21G1/02 | 分类号： | G21G1/02;G21G4/08;A61N5/10 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 陆薇薇 |
| 地址： | 100070 北京市丰台区科*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铱‑192后装源的制备方法以及铱‑192后装源，所述方法为：选用纯度大于99.9%的铱丝作为靶材料，并将其制成辐照靶。使用反应堆进行照射成铱‑192原料，为使照射后的铱原料中的194Ir核素衰变完全，需适当时间的存放。然后进行切靶、测量、分装、焊接、检验等工艺。采用上述工艺制备的铱‑192后装源焊点成半圆状，密封性好，无泄漏，表面无污染。活度平行性好，最大偏差在±5%以内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 192 后装源 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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