[发明专利]一种含有浮空区包围背面槽栅的逆导型IGBT在审
| 申请号： | 201911185204.6 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110911480A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杨治美;黄铭敏;刘薇 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构与第一导电类型的漂移区通过第二导电类型的浮空区间接接触。所述浮空区与所述漂移区的内建电势差使两个所述浮空区之间的漂移区耗尽，从而抑制折回（snap‑back）现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 浮空区 包围 背面 逆导型 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
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