[发明专利]晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911185651.1 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111106169A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 邹鹏辉;杨健;卢益锋;刘胜厚;蔡仙清;李敏;张辉;孙希国 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 孔默 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种晶体管器件及其制备方法，该晶体管器件包括制作于衬底上的外延层、制作于外延层上的栅介质层。在栅介质层上制备有贯穿其中的栅凹槽，其中，该栅凹槽远离外延层的开口的宽度大于靠近外延层的开口的宽度，并且，该栅凹槽的内侧壁呈包含至少两个台阶的阶梯状。如此，通过斜坡状且包含多台阶的栅凹槽，可避免电场在栅凹槽处的突变，减缓电场的变化幅度，改善电场尖峰效应，进而提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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