[发明专利]非易失性存储器器件

摘要

本公开的实施例涉及非易失性存储器器件。根据本公开的一个实施例的非易失性存储器器件包括：具有沟道层的衬底、设置于沟道层上的第一隧穿层、设置于第一隧穿层上的第二隧穿层、设置于所述第二隧穿层上的第三隧穿层、设置于第三隧穿层上的电荷俘获层、设置于电荷俘获层上的电荷阻挡层以及设置于电荷阻挡层上的栅极电极层。第一隧穿层包括第一绝缘材料。第二隧穿层包括电阻切换材料。第三隧穿层包括第二绝缘材料。电阻切换材料是电阻根据所施加的电场的幅度而在高阻态和低阻态之间可逆地改变的材料。