[发明专利]一种氮化硅结合碳化硅摩擦材料的制备方法有效
| 申请号： | 201911189217.0 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110683853B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈灵涛;吴志远;熊杰;张红波 | 申请（专利权）人： | 湖南博云新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/52;C04B35/573;C04B35/591 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 付丽 |
| 地址： | 414000 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种C/SiC‑Si |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 结合 碳化硅 摩擦 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅结合碳化硅摩擦材料的制备方法，包括以下步骤：/nA)以丙烯为碳源，以氮气为稀释气体，将C/C预制体依次进行化学气相沉积增密和热处理，得到C/C多孔基体；/nB)将C/C多孔基体采用包埋法熔渗工艺进行渗硅，得到渗硅基体；/nC)将所述渗硅基体埋入陶瓷粉中，在氮气气氛下进行氮化处理，得到氮化基体；/nD)将所述氮化基体浸入涂层浸渍液中，真空条件下进行浸渍，然后进行固化处理，得到C/SiC-Si
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