[发明专利]一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法在审
| 申请号： | 201911189275.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110725008A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 段满龙;赵有文;杨俊;刘京明;卢伟 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02;C30B11/02 |
| 代理公司： | 44291 广东朗乾律师事务所 | 代理人： | 闫有幸;杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法；所述退火及脱埚方法包括退火步骤以及退火步骤之后的脱埚步骤；具体地，退火步骤包括以下阶段：第一阶段：升温阶段，温度升高至所述覆盖剂的熔点以上、且低于晶体表面离解温度；第二阶段：恒温阶段，温度维持恒温，持续时间3～7h；第三阶段：调整晶体生长炉的倾斜角度，所述晶体生长炉沿纵向转动的角度介于95°～150°之间；本阶段温度继续维持恒温，持续时间1～4h；第四阶段：降温阶段，温度逐渐降温至室温；所述脱埚步骤具体包括：将所述坩埚从石英安瓿瓶中取出，经过40℃～80℃的超声波水浴，持续1～4h。本发明能够减少晶体制备工序，减少脱埚过程中对坩埚的损伤，保证了单晶的质量以及节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 晶体生长炉 晶体制备 坩埚 熔点 石英安瓿瓶 超声波水 恒温阶段 降温阶段 晶体表面 晶体生长 升温阶段 温度维持 纵向转动 覆盖剂 单晶 离解 取出 损伤 节约 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长后的退火及脱埚方法，所述晶体生长所述材料放置在底部为漏斗形状的坩埚内，所述坩埚封装在石英安瓿瓶中，所述石英安瓿瓶放置于晶体生长炉生长内，所述晶体在晶体生长炉内完成生长；晶体生长完成之后，所述坩埚内包括晶体以及晶体与所述坩埚内壁之间的覆盖剂，其特征在于，所述退火及脱埚方法包括退火步骤以及退火步骤之后的脱埚步骤；/n所述退火步骤在所述晶体生长炉内完成，包括以下阶段：/n第一阶段：升温阶段，温度升高至所述覆盖剂的熔点以上、且低于晶体表面离解温度；/n第二阶段：恒温阶段，温度维持恒温，持续时间3～7h；/n第三阶段：调整晶体生长炉的倾斜角度，所述晶体生长炉沿纵向转动的角度介于95°～150°之间；倾斜角度调整完成后继续维持恒温，持续时间1～4h；/n第四阶段：降温阶段，温度逐渐降温至室温；/n所述脱埚步骤具体包括：将所述坩埚从所述石英安瓿瓶中取出，经过40℃～80℃的超声波水浴，持续1～4h。/n
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