[发明专利]一种利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器有效
申请号: | 201911189551.6 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN110854213B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 刘黎明;易子川;迟锋;杨健君;王红航;吴艳花 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学中山学院 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/04 |
代理公司: | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人: | 舒梦来 |
地址: | 528402 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器,包括绝缘基底层,所述绝缘基底层的上方设置有第一电极、第二电极、硅基底层,所述硅基底层位于第一电极与第二电极之间,所述硅基底层与第一电极电接触,所述硅基底层与第二电极电接触,所述硅基底层的上方设置有多个陷光槽,所述陷光槽的侧壁上设置有多个等离激元共振结构;该利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器,通过利用等离激元纳米结构层在硅基底上产生光热电效应,从而提高光生载流子的利用效率,在硅基底中存在的由于光生热载流子的温度梯度驱动的光电响应,即光热电效应。光热电效应可以有效利用传统光电探测无法利用的热化载流子的能量,进一步提高了光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 载流子 增强 硅基光 热电 效应 光电 转换器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的