[发明专利]一种防止金属连接线断连的方法在审
| 申请号： | 201911191046.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110993561A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 黄光伟;吴淑芳;陈智广;李立中;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;G03F7/16 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种防止金属连接线断连的方法，其中方法包括如下步骤：在带有第一金属层的砷化镓衬底上沉积介质层；涂布第一光阻层，经对准、显影去除待蚀刻处的第一光阻层，并涂布微缩光阻，进行烘烤；蚀刻介质层，形成凹槽，并去除第一光阻层；涂布第二光阻层，经对准、显影去除凹槽上待蚀刻处的第二光阻层，所述对准显影第二光阻层的宽度小于凹槽宽度；涂布微缩光阻，并进行烘烤；蚀刻剩余介质层，并去除第二光阻层。上述技术方案在实际作业中避免了后续沉积金属时，金属层出现断层或薄层的问题，同时也降低了制程成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 金属 连接线 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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