[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201911191431.X | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110752184A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 高林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构具有键合层；在键合层上覆盖金属硬掩模层；图案化金属硬掩模层，形成金属硬掩模图案；以金属硬掩模图案为掩模在键合层中形成通孔；在金属硬掩模图案表面及通孔中覆盖互连材料；以及进行平坦化，平坦化去除键合层表面的金属硬掩模图案及互连材料，停留在键合层上，且保留通孔中的互连材料作为互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 键合层 金属硬掩模 互连材料 通孔 半导体结构 平坦化 图案 图案化金属硬掩模层 金属硬掩模层 半导体器件 互连结构 图案表面 覆盖 去除 掩模 停留 保留 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：/n提供半导体结构，所述半导体结构具有键合层；/n在所述键合层上覆盖金属硬掩模层；/n图案化所述金属硬掩模层，形成金属硬掩模图案；/n以所述金属硬掩模图案为掩模在所述键合层中形成通孔；/n在所述金属硬掩模图案表面及所述通孔中覆盖互连材料；以及/n进行平坦化，所述平坦化去除所述键合层表面的金属硬掩模图案及互连材料，停留在所述键合层上，且保留所述通孔中的互连材料作为互连结构。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911191431.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
