[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911192367.7 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111244045A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 余振华;余俊辉;洪政男;余国宠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种半导体器件及其制造方法。在一实例中，公开一种半导体器件。半导体器件包括半导体封装、顶盖、密封件及微结构。半导体封装包括至少一个半导体管芯。顶盖设置在半导体封装的上表面上。密封件位于半导体封装上以及顶盖与半导体封装之间。顶盖包括流入通道及流出通道。所述至少一个半导体管芯的有源表面背对顶盖。顶盖与半导体封装的上表面界定循环凹槽，循环凹槽在流入通道与流出通道之间提供流体连通。密封件围绕循环凹槽设置。微结构位于循环凹槽内，且微结构连接到顶盖及所述至少一个半导体管芯中的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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