[发明专利]一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置在审
| 申请号： | 201911193449.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110907792A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;董世剑;琚安安;潘霄宇;秦丽;郭维新;张凤祁;钟向丽;欧阳晓平;郝蕊静;李波 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N27/24 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 曹鹏飞 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统，成为DLTS与DLOS耦合的测试系统，可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件，分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值，根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级，使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响，大幅缩短测试时间，并且对被测材料的能级具有选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dlts 结合 dlos 确定 gan 辐照 缺陷 能级 方法 装置 | ||
【主权项】：
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