[发明专利]集成芯片的互连结构以及集成芯片的形成方法有效
| 申请号： | 201911193519.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111261610B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 马礼修;马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种包括细丝通孔的集成芯片。在一些实施例中，下部金属层设置在衬底上方。细丝介电层设置在下部金属层上方。上部金属层设置在细丝介电层上方。细丝通孔设置为穿过细丝介电层并且电连接下部金属层和上部金属层。可以在完成形成集成芯片的其他步骤之后建立细丝通孔，因此可以使按比例缩小尺寸的无阻挡铜通孔成为可能。使用所公开的方法，由于细丝形成机制的固有特性，可以实现超比例缩小的通孔(例如，低至1nm)。本发明的实施例还涉及集成芯片的互连结构以及集成芯片的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 互连 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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