[发明专利]一种碳化硅半积累型沟道MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911193526.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111129151A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;张新河;杨安丽;陈施施;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅半积累型沟道器件，该碳化硅半积累型沟道MOSFET器件兼具高沟道载流子迁移率、高阈值电压的特性。其结构包含一N+型衬底，在其上部为一N‑型外延漂移区。在N‑型外延漂移区顶部，有P型沟道区。N‑型外延漂移区的上方为N‑型背景掺杂区，并通过离子注入形成源区和基区，其中基区的深度较深，其底部深入P型沟道区之中。器件结构的顶部中央为沟槽结构，沟槽侧壁覆盖有栅氧化层，沟槽内部填充栅电极。器件的总沟道长度为0.6μm至1μm，其中P型沟道区与栅氧化层相邻的反型沟道长度为0.1μm至0.2μm，剩余沟道部分为积累型沟道。本发明还提供了该碳化硅半积累型沟道器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 积累 沟道 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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