[发明专利]具有近室温高热电性能的菱形碲化锗基化合物热电材料及其制备有效

专利信息
申请号: 201911194682.3 申请日: 2019-11-28
公开(公告)号: CN111086976B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 裴艳中;李文;卜中林 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;H01L35/16
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 刘燕武
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及具有近室温高热电性能的菱形碲化锗基化合物热电材料及其制备,热电材料的组成表示为Ge1‑xPbxTe,其中,0≤x≤0.8。与现有技术相比,本发明制备的GeTe基热电材料通过在菱方相GeTe中固溶立方相PbTe,利用高晶体结构对称度的PbTe使菱方相GeTe沿[111]方向扭曲的程度发生改变,调节其晶体结构对称度,得到由菱方相GeTe到立方相GeTe不同对称度的材料,基于晶体结构对称度调整使L和∑带发生汇聚,提高能带简并度,进而得到近室温高热电性能的碲化锗基化合物材料。
搜索关键词: 具有 室温 热电 性能 菱形 碲化锗基 化合物 材料 及其 制备
【主权项】:
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