[发明专利]背照式图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201911194938.0 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110797367B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张磊;姬峰;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述背照式图像传感器中，像素与逻辑器件衬底正面设置有互连金属层，背面设置有高K材料钝化层，并且在背面一侧设置有位于像素阵列区和外围逻辑区之间的隔离沟槽，隔离沟槽隔断高K材料钝化层且深度未超过互连金属层。高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，而隔离沟槽可以避免外围电路噪声对像素阵列区的影响，有助于提高所述背照式图像传感器的性能。本发明提供的背照式图像传感器的制作方法可用于制作上述背照式图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：/n像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面设置有互连金属层，所述背面设置有高K材料钝化层；/n其中，从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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