[发明专利]晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201911194941.2 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111063620A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 吴佳宏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆分别具有正面和背面；在所述第一晶圆和所述第二晶圆的正面分别形成键合面；对所述第一晶圆的背面进行预处理工艺或/和对所述第二晶圆的背面进行预处理工艺；将所述第一晶圆的键合面与所述第二晶圆的键合面键合。在本发明提供的晶圆键合方法中，在第一晶圆正面与第二晶圆正面相键合的步骤之前，增加一道预处理工艺步骤，减少所述第一晶圆或/和第二晶圆的翘曲度，可以有效地改善(降低)晶圆键合时的扭曲度，降低晶圆键合扭曲度，有利于提供晶圆键合后续工艺的均一性，从而最终提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
