[发明专利]一种GaN基磁感应器及制备方法在审
| 申请号： | 201911195091.8 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111129287A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 仇志军;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基磁感应器及制备方法，包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极、第六电极，其中第一电极和第四电极接地，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极形成霍尔效应四电极；本发明创新性地利用了GaN/AlGaN异质界面上的二维电子气和霍尔效应，将磁场强度信号转化为电压信号，并通过MOSFET的栅压调制作用将信号电压放大输出，能够实现快速、准确、高灵敏度的磁场探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 感应器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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