[发明专利]晶圆水平偏差检测方法、检测装置和炉管设备有效
| 申请号： | 201911195823.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111063636B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张召;金新 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及晶圆水平偏差检测方法、检测装置和炉管设备。检测方法包括：确定基准晶圆外圆区域；计算基准晶圆外圆区域的最小外切矩形；确定最小外切矩形与基准晶圆外圆区域之间的切点；移送待测晶圆至基准晶圆外圆区域；控制射线沿竖直方向，从切点的一侧入射；判断是否在切点的另一侧接收到射线；检测装置包括CPU、程序存储部、存储器和数据总线，CPU、程序存储部以及存储器分别与数据总线连接；程序存储部中存储有程序，程序用于执行检测方法；炉管设备包括射线收发系统、晶舟、移行装置、移行驱动系统和检测装置。本发明通过射线探测待测晶圆在水平方向上的偏移向量，根据偏移向量能够及时地对水平偏移向量进行校正。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 偏差 检测 方法 装置 炉管 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
