[发明专利]光电器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光电器件及其制备方法，光电器件包括第一电极、第二电极、n型层和p型层，所述p型层层叠在所述n型层上并且形成范德华异质结构，所述第一电极与所述n型层电连接，所述第二电极与所述p型层电连接；所述n型层的材料为SnS2，所述p型层的材料为GaSe。上述光电器件通过SnS2和GaSe形成范德华异质结构，将这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构设置在柔性衬底上进行光电特性检测时，发现这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构具有较佳的光电特性。应用了这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的光电器件会由于p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的较佳的光电特性而具有更好的性能。