[发明专利]铁磁性半金属晶体及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201911197149.2 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN111081868B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 秦胜妍;屈军毅 申请(专利权)人: 深圳市立洋光电子股份有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12
代理公司: 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 代理人: 孙凯乐
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种铁磁性半金属晶体及其制备方法、以及该铁磁性半金属晶体的应用。铁磁性半金属晶体的化学式如下:CuxZrySe2,其中,0.02≤x≤0.1,0.9≤y≤0.98,0.975≤x+y≤1。上述铁磁性半金属晶体通过ZrSe2中掺杂Cu得到,其化学式为:CuxZrySe2。通过分别对ZrSe2和CuxZrySe2进行磁性测量表明,ZrSe2为抗磁性半导体,CuxZrySe2为垂直磁场的铁磁性半金属。也就是说,通过在ZrSe2中掺杂Cu,成功的将ZrSe2由抗磁性变为铁磁性。
搜索关键词: 铁磁性 金属 晶体 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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