[发明专利]一种关键尺寸误差分析方法有效
| 申请号： | 201911197188.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111146104B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 余学儒;孙红霞;李琛;王鹏飞;段杰斌;王修翠;傅豪;周涛;燕燕;许博闻;郭令仪;李立人 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种关键尺寸误差分析方法，包括如下步骤：S01：对晶圆进行光刻，分别测量每个场中N个测试点的关键尺寸值CD；S02：清洗关键尺寸异常值；S03：基于重建模型拟合方法对剩余的关键尺寸值进行重建，得到重建之后的关键尺寸值CD”，将剩余的关键尺寸值划分为A个场景；S04：基于参数估计的方法计算每个场景中各个测试点在校正模型对应的参考系下的分量以及相应的残差；S05：根据上述计算结果，采用校正模型修改机台参数和掩模版。本发明提供的一种关键尺寸误差分析方法，利用外限估计清洗异常值，可快速准确地分析出光刻过程中关键尺寸误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 关键 尺寸 误差 分析 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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