[发明专利]一种空心结构的多层硅-碳复合电极材料制备方法有效
| 申请号： | 201911199790.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911667B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 梁攀飞;张佳颖;李婷;曹江行;邹文珍;杨华;范美强 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种空心结构的多层硅‑碳复合电极材料制备方法，通过有机硅水解在镁表面沉积二氧化硅、镁和氯化铝低温热还原、原位生长MOF材料、高温碳化、再有机硅水解沉积二氧化硅、再镁和氯化铝低温热还原、再原位生长MOF材料、再高温碳化，获得空心结构的多层硅‑碳复合电极材料。硅‑碳复合电极材料的层数为2～5；硅与碳的摩尔比为(0.2～5):1，且每层硅与碳的摩尔比是不一样的，且硅与碳的摩尔比从最里层到最外层逐渐减小。该硅‑碳复合电极材料具有很好的电化学性能，在锂离子电池领域具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空心 结构 多层 复合 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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