[发明专利]一种等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201911200020.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885690B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 涂乐义;叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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