[发明专利]整片制作省隔离器边发射激光器芯片的方法有效
| 申请号： | 201911200851.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111129945B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱洪亮;黄永光 | 申请（专利权）人： | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/22 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 郑园 |
| 地址： | 458030 河南省鹤壁市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整片制作省隔离器边发射激光器芯片的方法，包括如下步骤：在晶圆衬底上依次外延生长缓冲层和有源波导层；以激光器芯片腔长为周期，腐蚀有源波导层端部，制作无波导区；在有源波导层上制作分布反馈光栅，在无波导区和分布反馈光栅上作二次外延层生长；在二次外延层上刻制横向和纵向交叉排列的刻蚀凹槽和脊形波导；在晶圆表面生长绝缘介质层制作正面电极，将衬底背面减薄，在衬底上制作背面电极；在晶圆上整片蒸镀端面介质膜；在线测试激光器芯片特性，解理出激光器芯片。本发明摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤，实现了激光器芯片的整片镀膜和在线测试筛选，降低了激光器芯片的制作、测试和耦合封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 隔离器 发射 激光器 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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