[发明专利]一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201911200879.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111128558B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王晓红;徐思行;夏璠 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/28;H01G11/56;H01G11/84 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 程琛 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法。所述电容器芯片包括衬底层、正金属电极、负金属电极、导电集流层和凝胶电解质，所述衬底层由上到下包括绝缘层和硅层，所述正金属电极和负金属电极分别通过导电集流层独立位于所述绝缘层上方，所述正金属电极和负金属电极为多孔金属结构，且在所述多孔金属结构表面覆盖低维赝电容材料，在所述正金属电极和负金属电极周围为所述凝胶电解质，本发明实施例通过在硅片上形成电容器芯片，所述电容器芯片的正金属电极和负金属电极为多孔金属结构且表面覆盖低维赝电容材料，从而在高电频下实现高电容密度，且实现了电解电容器的小型化和量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电化学 电容器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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