[发明专利]利用二维铁电物质的非易失性三元存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911201339.7 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970556A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李浚熙;李浩植 | 申请（专利权）人： | 蔚山科学技术院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京恒都律师事务所 11395 | 代理人： | 李向东 |
| 地址： | 韩国蔚山广域市蔚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用二维铁电物质的非易失性三元存储器件及其制造方法。本发明的一实施例的非易失性三元存储器件的制造方法可包括：步骤（a），在基板上形成下部电极；步骤（b），在上述下部电极上形成二维铁电物质；步骤（c），在上述二维铁电物质上形成半导体；以及步骤（d），在上述半导体上形成上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 二维 物质 非易失性 三元 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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