[发明专利]包括低热预算栅极堆叠体的pMOS晶体管在审
| 申请号： | 201911201509.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261715A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | J·弗兰蔻;有村拓晃;B·卡塞 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊;蔡文清 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | p通道金属氧化物半导体(pMOS)晶体管包括栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括：基材上的含有硅氧化物的介电中间层，其中，介电中间层的厚度小于1nm；介电常数高于介电中间层的高k介电层；在介电中间层和高k介电层之间并且与介电中间层直接接触的第一偶极形成封盖层，用于使高k电介质层的高k带隙相对于基材的价带向下偏移，其中第一偶极形成封盖层的厚度小于2nm；在高k介电层上方的至少一种功函数金属。有利的是，pMOS晶体管包括低的负偏压温度不稳定性(NBTI)和高的可靠性，而无需使用可靠性退火，这使得pMOS晶体管适用于用作后道工序(BEOL)器件。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 低热 预算 栅极 堆叠 pmos 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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