[发明专利]功率二极管组件及功率二极管保护方法在审

专利信息
申请号: 201911201578.2 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN110896105A 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 池继富;周晓阳;刘军 申请(专利权)人: 广东芯聚能半导体有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;G01K13/00;G01K1/02
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 史治法
地址: 511458 广东省广州市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及一种功率二极管组件及功率二极管保护方法,包括:功率二极管;以及温度传感器,与所述功率二极管隔开设置,用于检测所述功率二极管周围的温度。由于功率二极管本身在通电的情况下,自身会发热,设置温度传感器靠近而不接触功率二极管,利用温度传感器检测功率二极管周围的温度并发送温度信号,可以基于该温度信号判断因功率二极管通电发热而导致的温度升高的情况,进而根据功率二极管自身温度升高的情况来及时地采取功率二极管自保护措施,以避免功率二极管因自身温度过高引起的不能正常工作的情况发生,进而避免因功率二极管自身温度过高而导致工作电路损坏的情况发生。
搜索关键词: 功率 二极管 组件 保护 方法
【主权项】:
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