[发明专利]碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法在审
| 申请号： | 201911202091.6 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111244164A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;T.艾兴格;I.莫德;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策;C.冯科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法。碳化硅器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括晶体管单元的体区和源区。此外，碳化硅器件包括晶体管单元的碳化钛栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 半导体器件 用于 形成 它们 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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