[发明专利]一种基于类狄拉克点的负折射率波导快光器件及设计方法在审
| 申请号： | 201911202534.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110749954A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 卓立强;赵泽阳;何真;邱伟彬 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭;李艾华 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于类狄拉克点的负折射率波导快光器件及设计方法，负折射率波导快光器件包括由设置在硅板上的多个三角晶格光子晶体组成的具有负折射率的上包层和下包层；还包括设置在所述上包层和下包层之间的以硅为介质组成的芯层；所述上包层和下包层的上边界、下边界、左边界和右边界为散射边界条件，入射光从所述芯层的一侧入射，从所述芯层的另一侧出射。本发明利用类狄拉克点附近频率可使光子晶体的有效折射率为负的特性，通过控制入射光的频率和芯层厚度，实现包层的负折射率，并使得光在芯层中具有负群速度，以及反向传播的行为。 | ||
| 搜索关键词： | 芯层 负折射率 上包层 下包层 光子晶体 光器件 入射光 波导 有效折射率 边界条件 反向传播 介质组成 三角晶格 包层的 上边界 下边界 右边界 左边界 散射 出射 负群 硅板 入射 | ||
【主权项】：
1.一种基于类狄拉克点的负折射率波导快光器件，其特征在于：包括由设置在硅板上的多个三角晶格光子晶体组成的具有负折射率的上包层和下包层；还包括设置在所述上包层和下包层之间的以硅为介质组成的芯层；所述上包层和下包层的上边界、下边界、左边界和右边界为散射边界条件，入射光从所述芯层的一侧入射，从所述芯层的另一侧出射。/n
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