[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911202681.9 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885897A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李新;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：衬底；设置于所述衬底上的埋栅结构，所述埋栅结构位于所述衬底上方的凹槽中，所述埋栅结构包括自外至内依次设置于所述凹槽中的栅极介质层、第一阻挡层和金属层，所述金属层的顶部具有上表面凹陷的凹陷结构；设置于所述埋栅结构的两侧的衬底部分的掺杂区；覆盖于所述金属层上方的填充层。本发明的技术方案可以减少栅极诱导漏极泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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