[发明专利]一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法在审
| 申请号： | 201911202959.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111128769A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 魏少伟;徐达;杨彦锋;冯志宽;戎子龙;张献武;苏彦文;马玉培;李丛;马海雯;郭志强;王丽平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陈晓彦 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法，属于芯片封装技术领域，球栅阵列封装的植球结构包括基板、焊盘层、中心铜核球阵列以及常规焊球组；其中，基板的正面用于粘接大功率芯片，基板上穿设有用于导通基板的正面和背面的导柱；焊盘层设于基板的背面，焊盘层与基板的正面导通并与大功率芯片通过引线连接；中心铜核球阵列植于焊盘层上，中心铜核球阵列的位置用于与大功率芯片的背面对齐；常规焊球组植于焊盘层上并成环型围绕于中心铜核球阵列的周围。本发明提供的一种球栅阵列封装的植球结构及值球方法，中心铜核球阵列能够快速散热、常规焊球组能够辅助缓解热应力，在未增加散热结构体积的情况下提高了球栅阵列封装的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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