[发明专利]SOI压力传感器压敏电阻及其制作方法、SOI压力传感器有效
| 申请号： | 201911205158.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911546B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 曾庆平;金忠;张浩;何峰;周国方;丁玎;吴迪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/22;H01L41/27;H01L21/306 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 何文红 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI压力传感器压敏电阻及其制作方法、SOI压力传感器，其制作方法包括以下步骤：制备注入缓冲保护层，制备注入阻挡层；P型掺杂，退火，形成P型重掺杂区；采用湿法刻蚀去除非P型重掺杂区，得到SOI压力传感器压敏电阻。本发明SOI压力传感器压敏电阻由上述方法制得。本发明SOI压力传感器包括P型重掺杂压阻，该P型重掺杂压阻为上述的SOI压力传感器压敏电阻。本发明SOI压力传感器压敏电阻的制作方法具有成本低廉、刻蚀精度高、一致性好、量产效率高、二次污染少等优点，制得的压敏电阻表面平直光滑，可广泛用作SOI压力传感器的压阻，有着很高的使用价值和良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | soi 压力传感器 压敏电阻 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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