[发明专利]一种命令读写方法、装置及计算机存储介质在审
| 申请号： | 201911205765.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110910921A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 何凯;王旭亮;孙长江;李开亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C7/10;G06F13/16 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 江婷;李发兵 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 根据本发明实施例提供的命令读写方法、装置，接收总线读/写命令；将接收到的属于同一突发脉冲DDR Burst访问的总线写命令写入同一写缓存区；将与所述总线读命令属于同一DDR Burst访问的读缓存区的数据直接返回；然后再读取读缓存区或写缓存区执行DDR Burst读或写操作。通过本发明的方法只需增加一定的缓存区并划片，通过控制逻辑对总线接口的读/写命令进行合并处理，DDR SRAM端口执行合并后的总线读写命令，来达到效率提高的目的。对于多笔小数据量访问，可合并发送一个总线读/写命令即可，效率提高显著。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 命令 读写 方法 装置 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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