[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件的元胞结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201911207080.7 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111146290B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 高秀秀;李诚瞻;齐放;戴小平 | 申请（专利权）人： | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种碳化硅VDMOS器件的元胞结构及其制作方法，在第一导电类型衬底上设置第一导电类型漂移区，在其表面上设置有栅极绝缘层及在绝缘层上设置的栅极，在中心部位，第一导电类型漂移区表面向下设置有第一导电类型JFET注入区，在元胞结构的边缘部位，第一导电类型漂移区的表面设置有对称分布的若干栅结构。通过减少第二导电类型屏蔽区覆盖面积，并在JFET区新设置第一导电类型JFET注入区，以及进一步可设置的第一导电类型外延区，降低了第二导电类型屏蔽区/第一导电类型漂移区结的电容C |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 vdmos 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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