[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201911207590.4 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261593B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林佛儒;张家维;许琼文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/308;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。在半导体层上方形成第一层，以及在第一层上方形成第一图案化掩模。实施循环蚀刻工艺以在第一层中限定第二图案化掩模。循环蚀刻工艺包括在第一图案化掩模上方形成聚合物层的第一阶段以及去除聚合物层并去除第一层的部分的第二阶段。使用第二图案化掩模去除半导体层的部分以从半导体层限定鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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